9月3日快讯，第二届全球IC企业家大会暨第十七届中国国际半导体博览会(ICChina2019)于今明两日举办，中国科学院院士、复旦大学校长许宁生发表了相关演讲。

许宁生表示，从1958年9月12日，美国德州仪器杰克·基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，正式被认可是2000年，杰克·基尔比因发明集成电路而获诺贝尔物理学奖，诺贝尔奖评审委员会的评价是：“为现代信息技术奠定了基础”。

集成电路技术是人类智慧结晶，集成电路技术把原本半个篮球场、重达数百吨的电子计算机变成了指甲盖大小、约50克，性能提升10的9次方的CPU；基于闪存芯片的30T容量的便携式硬盘，可以储存1000多万册书籍，相当于随身携带一个大型图书馆。集成电路是一切高科技产品及应用的核心。芯片作为一个系统的中枢，就像人的大脑一样重要。

在存储器上，动态随机储存器(DRAM)技术面临电容瓶颈，因此无电容DRAM技术是未来的技术趋势。动态随机存储器(DRAM)芯片是销售量和销售额最大的单一集成电路产品，用于电脑、手机等的内存，2018年全球DRAM销售约1000亿美元，多年来技术一直徘徊在17nm技术节点，遇到了电容瓶颈。动态随机储存器(DRAM)技术的解决方案是半浮栅晶体管，它巧妙地通过一个隧穿二极管(TFET)把浮栅和漏极连起来，用隧穿二极管控制对浮栅进行充放电，从而构成了一个全新原理的动态随机存储器单元。

我国成立了国家集成电路创新中心——上海集成电路制造创新中心有限公司。是由复旦大学牵头，与中芯国际和上海华虹集团签署投资备忘录，共同组建《上海集成电路制造创新中心有限公司》；2018年5月通过了工信部组织的建设方案论证会，2018年7月在张江正式挂牌；创新中心定位是建设具有独立性、开放性、实体性的集成电路制造共性技术的研发平台。围绕为高端核心芯片开发和自主制造提供技术来源，为我国集成电路产业技术提升提供服务，为产业发展提供人才支撑。创新能力建设是共性技术研发能力、行业服务与成果转化能力、国际合作能力和人才培养能力；共性技术研发：面向未来先进工艺，研发集成电路共性技术。聚焦新器件、新工艺研发、先进仿真和模拟技术、先进集成工艺等共性技术。